Мастера из Пхоханского университета науки и технологий (Полуденная Корея) нашли способ в 20 раз уменьшить действенную массу электронов в кремнии.
| Атомарное покрытие (иллюстрация Paul Scherrer Institut). |
Характеристики электронных приспособлений зависят от подвижности носителей заряда, назад пропорциональной их эффективной массе. По этим параметрам кремний приметно уступает многим другим веществам, наиболее перспективным из которых считается графен. К раскаянию, предложить удобную методику промышленного получения графена пока никому не удалось.
Авторы постарались повторить свойства графена в образце кремния, который находился в контакте с атомарным пластом свинца. На расположение атомов последнего воздействовали атомы кремния, и учёные предположили, что электроны свинца должны, в свою хвост, воздействовать на электронную структуру полупроводника.
Направляя на вещество высокоэнергетичные фотоны и «выбивая» электроны, физики оценивали их действенную массу. Как оказалось, она доходила до (0,0074 ± 0,0015)•mе, где mе — масса спокойствия электрона; такое роль примерно в 20 раз уступает «обычной» эффективной массе частиц в кремнии. «Следовательно, маневренность электронов может увеличиться в 20 раз», — замечает один из участников исследования Хан Ун Ём (Han Woong Yeom).
Подвижность электронов в графене водворяется на ещё более тонком уровне. Смена материала покрытия кремния, по суждению авторов, позволит достичь и этих значений.
Исчерпывающая версия отчёта опубликована в журнале Physical Review Letters; препринт статьи можно скачать с сайта arXiv.
Подготовлено по материалам NewScientist.
Ваня комментирует:
Комплекс текстов неплохой, добавлю сайт в закладки.
03.01.2011
